NM CARD

การ์ดหน่วยความจำ Nano - ย่อมาจาก NM card ซึ่งมีรูปร่างและขนาดเดียวกับ Nano SIM สามารถใช้ได้กับถาดใส่ซิมคู่ในอุปกรณ์ Huawei ที่ใช้งานร่วมกันได้ Huawei ประกาศเปิดตัวการ์ด Nano แทนการ์ด Micro SD ใน 2019 มีขนาดเล็กกว่าการ์ด Micro SD ทั่วไปเพียงครึ่งเดียว แต่การ์ด NM ยังคงเร็ว - ตามข้อกำหนดทางเทคนิคของการ์ด NM 1.0 สูงสุด ประสิทธิภาพการอ่านและเขียนประมาณ 90MB/s

ส่งคำถาม

ผลิตภัณฑ์นี้ยังใช้ชิปควบคุมหลักของเครื่องยนต์ eMMC 5.1 LDPC ECC ด้วย 3D NAND Flash สถาปัตยกรรมเฟิร์มแวร์ของอัลกอริธึมอิสระที่สร้างสรรค์จะถูกนำมาใช้ นอกจากการขยายความจุของ NM Card บนแอปพลิเคชันมือถือแล้ว ผู้ใช้ยังสามารถใช้ NM Card ได้อีกด้วย แอพที่ไม่ได้ใช้และข้อมูลเย็นของไฟล์ขนาดใหญ่จะถูกโยกย้ายเพื่อเปิดตัวโทรศัพท์มือถือ ความจุที่มีอยู่ของที่เก็บข้อมูลดั้งเดิมช่วยปรับปรุงอายุการใช้งานและปล่อยประสิทธิภาพของโทรศัพท์

ความจุที่มีจำหน่าย & ความเร็ว:

ความจุ	ความเร็วในการอ่าน (MB/S)	ความเร็วในการเขียน (MB/S)	ประเภทแฟลช	ขนาดบรรจุ
64GB	93MB/วินาที	83MB/วินาที	TLC 512Gbx1	12.3x8.8x0.7mm
128GB	93MB/วินาที	83MB/วินาที	TLC 512Gbx2	12.3x8.8x0.7mm
256GB	93MB/วินาที	83MB/วินาที	TLC 512Gbx4	12.3x8.8x0.7mm

พารามิเตอร์เค้าร่างทางกายภาพของการ์ด NM

พิมพ์	การวัด
ความยาว	8.8 มม. บวก /-0.1 มม. (B)
ความกว้าง	12.3 มม. บวก /-0.1 มม. (A)
ความหนา	0.8 มม. บวก /-0.05 มม. (C1)
พื้นผิว	ที่ราบ(ยกเว้นพื้นที่สัมผัส)
ขอบ	ขอบเรียบ

พารามิเตอร์สภาพแวดล้อมทางกายภาพของการ์ด NM

แรงดันไฟฟ้า	Vcc=3.3V
อุณหภูมิ	การทำงาน: -20 องศาถึง 70 องศา ไม่ทำงาน: -40 องศาถึง 85 องศา
ความชื้น	25 เปอร์เซ็นต์ถึง 95 เปอร์เซ็นต์
การป้องกัน ESD	แผ่นสัมผัส: plus /-4KV, ร่างกายมนุษย์ การปลดปล่อยอากาศ: บวก /-8KV(การปล่อยอากาศ); การปลดระนาบข้อต่อ: -8KV
ดัด	10N
แรงบิด	0.15 N.m
การทดสอบการตก	ตกฟรี 1.5 เมตร

การวาดภาพของการ์ด NM:

คำอธิบายอินเทอร์เฟซ

เครื่องหมาย		พิมพ์	คำอธิบาย
1	CLK	ป้อนข้อมูล	นาฬิกา: แต่ละรอบของนาฬิกากำหนดทิศทางการถ่ายโอนบนบรรทัดคำสั่งและบนสายข้อมูล ความถี่อาจแตกต่างกันระหว่างความถี่สัญญาณนาฬิกาต่ำสุดและสูงสุด
2 4 5 8	DAT0 DAT2 DAT3 DAT8	I/O	Data I/O: นี่คือสัญญาณข้อมูลแบบสองทิศทาง สัญญาณ DAT ทำงานในโหมดกดดึง โดยค่าเริ่มต้น ตัวควบคุม MMC สามารถกำหนดค่าบัสข้อมูลที่กว้างขึ้นสำหรับการถ่ายโอนข้อมูลโดยใช้ DAT[3:0] (4-โหมดบิต)
3	VCC	จัดหา	VCC: อินเทอร์เฟซ NAND (I/F) I/O และแหล่งจ่ายไฟแฟลช NAND
6	GND	จัดหา	แกนควบคุมและการเชื่อมต่อกราวด์ e·MMC I/F การเชื่อมต่อกราวด์ NAND I/FI/O และ NAND Flash
7	CMD	I/O	คำสั่ง: สัญญาณนี้เป็นช่องคำสั่งแบบสองทิศทางที่ใช้สำหรับการถ่ายโอนคำสั่งและการตอบสนอง สัญญาณ CMD มีโหมดบัสสองโหมด: โหมด open-drain และโหมด push-pull (ดูโหมดการทำงาน) คำสั่งจะถูกส่งจากโฮสต์ MMC ไปยังอุปกรณ์ และการตอบสนองจะถูกส่งจากอุปกรณ์ไปยังโฮสต์

อุปกรณ์ที่รองรับการ์ดหน่วยความจำ NM

เครื่องหมาย		พิมพ์	คำอธิบาย
1	CLK	ป้อนข้อมูล	นาฬิกา: แต่ละรอบของนาฬิกากำหนดทิศทางการถ่ายโอนบนบรรทัดคำสั่งและบนสายข้อมูล ความถี่อาจแตกต่างกันระหว่างความถี่สัญญาณนาฬิกาต่ำสุดและสูงสุด
2 4 5 8	DAT0 DAT2 DAT3 DAT8	I/O	Data I/O: นี่คือสัญญาณข้อมูลแบบสองทิศทาง สัญญาณ DAT ทำงานในโหมดกดดึง โดยค่าเริ่มต้น ตัวควบคุม MMC สามารถกำหนดค่าบัสข้อมูลที่กว้างขึ้นสำหรับการถ่ายโอนข้อมูลโดยใช้ DAT[3:0] (4-โหมดบิต)
3	VCC	จัดหา	VCC: อินเทอร์เฟซ NAND (I/F) I/O และแหล่งจ่ายไฟแฟลช NAND
6	GND	จัดหา	แกนควบคุมและการเชื่อมต่อกราวด์ e·MMC I/F การเชื่อมต่อกราวด์ NAND I/FI/O และ NAND Flash
7	CMD	I/O	คำสั่ง: สัญญาณนี้เป็นช่องคำสั่งแบบสองทิศทางที่ใช้สำหรับการถ่ายโอนคำสั่งและการตอบสนอง สัญญาณ CMD มีโหมดบัสสองโหมด: โหมด open-drain และโหมด push-pull (ดูโหมดการทำงาน) คำสั่งจะถูกส่งจากโฮสต์ MMC ไปยังอุปกรณ์ และการตอบสนองจะถูกส่งจากอุปกรณ์ไปยังโฮสต์

ป้ายกำกับยอดนิยม: นาโนเมตร การ์ด ขายส่ง, ราคา, จำนวนมาก OEM, อะแดปเตอร์การ์ดกล้อง, อะแดปเตอร์การ์ดสำหรับแล็ปท็อป, อะแดปเตอร์การ์ดหน่วยความจำสำหรับพีซี, อะแดปเตอร์ชิปหน่วยความจำ, อะแดปเตอร์คอมพิวเตอร์ Micro SD, การ์ดหน่วยความจำ NM