ความถี่หน่วยความจำคืออะไร? ความถี่ของหน่วยความจำหมายถึงอะไร

ประการแรกความถี่หน่วยความจำมีสิ่งนี้
เรารู้ว่าประสิทธิภาพของหน่วยความจำนั้นพิจารณาจากความจุของหน่วยความจำและความถี่ของหน่วยความจำ และในหน่วยความจำที่มีความจุเท่ากัน ยิ่งความถี่ของหน่วยความจำสูง ประสิทธิภาพก็จะยิ่งดีขึ้นเท่านั้น ปัจจุบันความถี่หน่วยความจำหลักคือ:
ความถี่หน่วยความจำ DDR2 ส่วนใหญ่ประกอบด้วย: หน่วยความจำ DDR 333MHz และ 400MHz, 667MHz, 800MHz และ 1066MHz ความถี่หน่วยความจำ DDR3: 1066MHz, 1333MHz, 1600MHz ความถี่หน่วยความจำ DDR4: 2133MHZ ถึง 4266MHz
หน่วยความจำ DDR2 ได้ถูกกำจัดไปแล้ว คอมพิวเตอร์จำนวนมากที่ซื้อในช่วงต้นปีหรือก่อนหน้านี้เป็นหน่วยความจำ DDR2 ความถี่หน่วยความจำโดยทั่วไปต่ำ สูงสุดไม่ใช่แค่ 1066Mhz เท่านั้น ขณะนี้ความถี่หน่วยความจำหลักคือ 1333MHZ และความถี่หน่วยความจำ 1600MHz และด้วยความคืบหน้า ของเทคโนโลยีในอนาคต DDR4 จะกลายเป็นกระแสหลัก
ประการที่สอง วิธีสร้างความถี่หน่วยความจำ
1 ดูคำอธิบายประกอบพื้นผิวตารางหน่วยความจำ
โดยทั่วไปหน่วยความจำจะทำเครื่องหมายความจุและความถี่ของหน่วยความจำ หากคุณเป็นหน่วยความจำที่เพิ่งซื้อมาหรือคอมพิวเตอร์เดสก์ท็อป คุณสามารถนำออกมาดู เราสามารถอ่านแผ่นป้ายพื้นผิวหน่วยความจำเพื่อทราบ
2 บูตเพื่อดูข้อมูลการทดสอบตัวเองของคอมพิวเตอร์
หลังจากที่คอมพิวเตอร์รีสตาร์ทหรือสตาร์ทแล้ว การทดสอบตัวเองของฮาร์ดแวร์จะแสดงรายละเอียดฮาร์ดแวร์หลัก ซึ่งจะมีข้อมูลความถี่และความจุของหน่วยความจำ เราสามารถสตาร์ทฮาร์ดแวร์คอมพิวเตอร์เพื่อตรวจสอบหน้าจอที่สองได้ กดปุ่มหยุดชั่วคราวเพื่อหยุดการทำงานของตัวเอง หน้าจอทดสอบเพื่อดูข้อมูลความถี่หน่วยความจำ
3. ตรวจสอบความถี่หน่วยความจำด้วยความช่วยเหลือของซอฟต์แวร์เพิ่มประสิทธิภาพคอมพิวเตอร์
การใช้ซอฟต์แวร์เพิ่มประสิทธิภาพคอมพิวเตอร์บางตัวยังสามารถตรวจจับความถี่ของหน่วยความจำได้ เช่น การใช้ Master Lu เพื่อตรวจจับข้อมูลฮาร์ดแวร์คอมพิวเตอร์สามารถตรวจจับความจุและความถี่ของหน่วยความจำได้
ประการที่สาม ความหมายของความถี่หน่วยความจำ
โดยทั่วไปแล้ว โหมดการทำงานแบบอะซิงโครนัสของหน่วยความจำสามารถเรียกว่าโหมดการทำงานแบบอะซิงโครนัสของหน่วยความจำได้ เมื่อความถี่การทำงานของหน่วยความจำไม่สอดคล้องกับความถี่ภายนอกของ CPU ประการแรก โหมดการทำงานแบบอะซิงโครนัสหน่วยความจำที่เก่าแก่ที่สุดปรากฏในชิปเซ็ตมาเธอร์บอร์ดรุ่นแรก ๆ ซึ่งสามารถทำให้หน่วยความจำทำงานในโหมดสูงกว่า 33MHz หรือต่ำกว่าความถี่ภายนอกของ CPU 33MHz ซึ่งก็คือ 33MHz) เพื่อปรับปรุงระบบ ประสิทธิภาพของหน่วยความจำหรือทำให้หน่วยความจำเก่าเล่นความร้อนเหลือทิ้งต่อไป ประการที่สอง ภายใต้โหมดการทำงานปกติ (CPU ไม่โอเวอร์คล็อก) ชิปเซ็ตมาเธอร์บอร์ดจำนวนมากยังรองรับโหมดการทำงานแบบอะซิงโครนัสของหน่วยความจำ เช่น ชิปเซ็ต ntel 910GL รองรับเฉพาะ 533MHZ FSB นั่นคือความถี่ CPU9 133MHz อย่างไรก็ตามสามารถใช้ร่วมกับ DDR 266 ที่มีความถี่ในการทำงาน 133MH, DDR 333 ที่มีความถี่ในการทำงาน 166MHZ และ DDR 400F ที่มีความถี่ในการทำงาน 200MHZ (โปรดทราบว่าความถี่ภายนอกของ CPU 133MHZ และความถี่การทำงานของ DDR { {14}}MHZ มีความแตกต่าง 66MHZ) แต่ด้วยหน่วยความจำที่แตกต่างกัน ประสิทธิภาพจึงแตกต่างกัน อีกครั้งในกรณีของการโอเวอร์คล็อก CPU เพื่อไม่ให้หน่วยความจำลากขาหลังของความสามารถในการโอเวอร์คล็อก CPU ในเวลานี้คุณสามารถลดความถี่การทำงานของหน่วยความจำเพื่ออำนวยความสะดวกในการโอเวอร์คล็อกเช่นอินเทอร์เฟซ Socket 939 ของ AMD Opteron 144 นั้นง่ายต่อการโอเวอร์คล็อก ผลิตภัณฑ์จำนวนมากสามารถมีความถี่ภายนอกเกิน 300MHZ ได้อย่างง่ายดาย และหากอยู่ในโหมดการทำงานการซิงโครไนซ์หน่วยความจำ ความถี่ที่เทียบเท่าของหน่วยความจำในเวลานี้จะสูงถึง DDR 600 ซึ่งเห็นได้ชัดว่าเป็นไปไม่ได้ตามลำดับ เพื่อให้เกินความถี่ภายนอก 300MHZ ได้สำเร็จ เราสามารถโอเวอร์คล็อกใน BIOS ของเมนบอร์ดได้ก่อนที่หน่วยความจำจะตั้งค่าเป็น DDR 333 หรือ DDR 266 หลังจากเกินความถี่ภายนอก 300MHZ ก่อนหน้านี้เป็นเพียง DDR 500 (หน่วยความจำที่ดีที่สุดบางส่วนสามารถทำได้) ในขณะที่ หลังเป็นเพียง DDR 400(ความถี่มาตรฐานปกติโดยสมบูรณ์) จะเห็นได้ว่าการตั้งค่าที่ถูกต้องของโหมดอะซิงโครนัสหน่วยความจำช่วยให้โอเวอร์คล็อกได้สำเร็จ